| PART |
Description |
Maker |
| Q65110A2465 SFH4250 SFH425012 |
IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung
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OSRAM GmbH
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| Q65110A2464 Q65110A2975 |
IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung
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OSRAM GmbH
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| SFH4236 |
IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung
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OSRAM GmbH
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| SFH4232 Q65110A8754 |
IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung
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OSRAM GmbH
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| SFH464E7800 SFH464 Q62702-Q1745 |
GaAlAs-Lumineszenzdiode 660 nm GaAlAs Light Emitting Diode 660 nm 发动器，Lumineszenzdiode 660纳米发光二极管的GaAIAs 660纳米
From old datasheet system
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SIEMENS AG
SIEMENS[Siemens Semiconductor Group]
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| Q62703-Q1090 SFH483E7800 SFH483 |
GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter 1 ELEMENT, INFRARED LED, 880 nm
GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter 发动器，红外Lumineszenzdiode GaAlA红外发射
From old datasheet system
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SIEMENS AG
SIEMENS[Siemens Semiconductor Group]
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| SFH420 SFH425 Q62702-P0330 Q62702-P1690 |
Mica Film Capacitor; Capacitance:33pF; Capacitance Tolerance: /- 5 %; Working Voltage, DC:300V
GaAs-IR-Lumineszenzdiode 0.5 in SMT-Gehuse GaAs Infrared Emitter in SMT Package
GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehause GaAs Infrared Emitter in SMT Package
From old datasheet system
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Siemens Semiconductor G...
SIEMENS AG
Infineon
SIEMENS[Siemens Semiconductor Group]
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| SFH40912 Q62702P1002 Q62702P0860 |
GaAs-IR-Lumineszenzdiode
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OSRAM GmbH
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| SFH4271 |
IR-Lumineszenzdiode Infrared Emitter
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OSRAM GmbH
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| SFH4233 Q65110A8901 |
IR-Lumineszenzdiode (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung
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OSRAM GmbH
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| SFH4502 |
(SFH4501 - SFH4503) Schnelle IR-Lumineszenzdiode (950 nm) im 5 mm Radial
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Osram
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| MCP6L92T-E_MS MCP6L92T-E_OT MCP6L92T-E_SL MCP6L92T |
10 MHz, 850 μA Op Amps
10 MHz, 850 楼矛A Op Amps
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Microchip Technology
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